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想装下一辈子的数据48层DNAND够用吗

2019-08-15 17:35:16来源:励志吧0次阅读

  闪存面世已超过25年。经过二十多年来努力在2D NAND技术基础上扩大产能,NAND闪存生产商的创新终于不再局限于在二维平面上以长宽来缩小芯片的尺寸,而革新为纵向堆叠芯片,从而创造出了 D NAND闪存技术。日前就 D NAND设计制造难点、应用前景等话题,独家专访了闪迪(SanDisk)部执行副总裁Siva Sivaram博士。

  闪迪(SanDisk)存储技术部执行副总裁Siva Sivaram博士

  推出 D NAND芯片的必要性体现在哪里?

  D NAND芯片的理念很简单:就是我们不再去缩小芯片的长度和宽度,而是将NAND芯片组转个角度,将它竖起来。这个概念就像建筑师决定在给定大小的土地上建造一座摩天大厦而不是单层建筑物。每个垂直方向的分层内都可以明显容纳更多存储器。因此,这种方式提供了比2D NAND更具潜力的增加存储器数量的方法。

  SanDisk闪迪即将开始试产全世界首例的48层 D NAND技术产品。此项突破性的存储器架构采用了大量制程和设备创新,融合了多项优势,带来了更大的密度、更高的性能和更低的功耗,我们准备将此项技术先应用于客户端固态硬盘、大容量移动存储产品及内嵌存储器中,随后再推广至企业级固态硬盘。

  相比2D NAND, D NAND芯片将在哪些方面带来显著变化?

  随着近二十年来2D NAND存储器尺寸的不断缩小,这种方式如今已经面临着多项物理学上的限制,这些限制降低了存储器的性能、耐久度以及再次缩小的能力。例如,对缩小后的2D NAND存储器来说,闪存单元间存在很强的交叉耦合,而这限制了可实现的性能和再次按比例缩小的能力。而这一现象正是SanDisk闪迪公司于1997年初首先发现的。

  此外,随着闪存单元逐渐缩小,每个存储态可用的电子数也越来越少,这种现象限制了各个存储状态下的性能和耐久度,同时影响了各状态间的分离能力。

  另一方面, D NAND优于2D NAND的一项关键优势在于, D NAND闪存单元是以圆柱形构建的,且在电荷存储区周围形成了 字线 式包裹层,因此可有效降低不同闪存单元之间的交叉耦合。另外, D NAND闪存单元的物理尺寸明显大于2D NAND闪存单元,可以存储更多电子,并为改进的闪存性能和耐久度带来了更大的利润空间。

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